中國團隊研發光子芯片可批量製造
【大公報訊】記者劉凝哲北京報道：5月8日，中國科學院上海微系統與信息技術研究所（以下簡稱上海微系統所）的歐欣研究員團隊在鉭酸鋰異質集成晶圓及高性能光子芯片製備領域取得突破性進展，相關成果以《可批量製造的鉭酸鋰集成光子芯片》為題，發表於國際學術期刊《自然》。
據介紹，以硅光技術和薄膜鈮酸鋰光子技術為代表的集成光電技術，被認為是應對集成電路芯片性能和成本瓶頸問題的顛覆性技術。其中，鈮酸鋰有「光學硅」之稱，近年間受到了廣泛關注，哈佛大學等國外研究機構甚至提出了仿照「硅谷」模式來建設新一代「鈮酸鋰谷」的方案。
與鈮酸鋰類似，歐欣團隊與合作者研究證明單晶鉭酸鋰薄膜同樣具有優異的電光轉換特性，且在雙折射、透明窗口範圍、抗光折變、頻率梳產生等方面相比鈮酸鋰更具優勢。此外，硅基鉭酸鋰異質晶圓（LTOI）的製備工藝與絕緣體上的硅（SOI）更加接近，因此鉭酸鋰薄膜可實現低成本和規模化製造，具有極高的應用價值。
歐欣團隊在這一領域的研究已持續近10年，值得一提的是，目前研究團隊已攻關8吋晶圓製備技術，為更大規模的國產光電集成芯片和移動終端射頻濾波器芯片的發展奠定了核心材料基礎。
